Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC (2025)
Unidade: EESCSubjects: ELETRÔNICA DE POTÊNCIA, EFICIÊNCIA ENERGÉTICA
ABNT
GIARETA, Gabriel Biller e ALONSO, Augusto Matheus dos Santos. Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC. 2025. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) – Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdf. Acesso em: 06 jan. 2026.APA
Giareta, G. B., & Alonso, A. M. dos S. (2025). Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC (Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação). Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdfNLM
Giareta GB, Alonso AM dos S. Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdfVancouver
Giareta GB, Alonso AM dos S. Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 06 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdf
