Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC (2025)
- Authors:
- Autor USP: GIARETA, GABRIEL BILLER - EESC
- Unidade: EESC
- Sigla do Departamento: SEL
- Subjects: ELETRÔNICA DE POTÊNCIA; EFICIÊNCIA ENERGÉTICA
- Keywords: MOSFET SiC; Gate driver; Eletrônica de potência; Wide bandgap
- Language: Português
- Abstract: Com a crescente demanda por equipamentos com maiores densidade de potência, eficiência energética e confiabilidade, surge a necessidade de dispositivos eletrônicos com maiores capacidades de potência, frequência e temperatura do que o silício (Si). Por causa de suas características elétricas e térmicas, transístores de materiais como carbeto de silício (SiC) e nitreto de gálio (GaN) preenchem esses requisitos. MOSFETs SiC são ideais para aplicações de média e alta potência, no entanto os maiores transientes atingidos exigem um maior cuidado para o chaveamento desses transístores. Este trabalho apresenta uma análise sobre o MOSFET SiC e seus gate drivers, passando pelas características que motivam o uso de técnicas mais avançadas de chaveamento e também estudando essas técnicas. São realizados levantamentos bibliográficos da literatura e do mercado sobre técnicas e topologias de gate drivers para MOSFETs SiC, e por fim sendo simulados computacionalmente alguns dos circuitos que empregam essas técnicas, tendo seus resultados em testes de duplo-pulso comparados a um gate driver convencional. Os gate drivers ativos apresentaram menores sobressinais de tensão e corrente, menores atrasos de chaveamento e menor crosstalk.
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2025
-
ABNT
GIARETA, Gabriel Biller e ALONSO, Augusto Matheus dos Santos. Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC. 2025. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) – Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdf. Acesso em: 10 jan. 2026. -
APA
Giareta, G. B., & Alonso, A. M. dos S. (2025). Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC (Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação). Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdf -
NLM
Giareta GB, Alonso AM dos S. Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdf -
Vancouver
Giareta GB, Alonso AM dos S. Estudo de drivers para MOSFETs de potência de tecnologia SiC [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 10 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/c0b6ab0e-30c1-47e7-b415-2ab9d1fb971e/Giareta_Gabriel_Biller.pdf
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