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Efeitos de interface em transistores orgânicos (2024)

  • Authors:
  • Autor USP: CAPUZZO, LUIZA BATISTA - IFSC
  • Unidade: IFSC
  • Subjects: TRANSISTORES; SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS
  • Language: Português
  • Abstract: Transistores por efeito de campo orgânicos (OFETs) são dispositivos de extrema pertinência visto a importância dos transistores para toda a eletrônica. Eles possuem como vantagens a utilização de um semicondutor orgânico, permitindo que o processo de fabricação seja fácil e de baixo custo, além de terem um papel relevante na eletrônica flexível. Os transistores por efeito de campo são compostos por três terminais: dreno, fonte e porta, com os dois primeiros separados do último por um dielétrico, de forma que, ao aplicar uma tensão na porta, cargas são acumuladas na interface dielétrico-semicondutor. Assim, se for aplicada também uma tensão entre dreno e fonte, surge uma corrente entre eles, que pode ser modulada pela tensão na porta. A interface dielétrico-semicondutor é extremamente importante nesse processo, já que sua composição química influencia a estrutura do semicondutor orgânico na interface, e, portanto, a mobilidade dos portadores de carga. Tendo isso em mente, este trabalho apresenta uma introdução ao funcionamento e fabricação de OFETs, e investiga efeitos de interface em dispositivos a base do polímero semicondutor P3AT, através da funcionalização do dielétrico com monocamadas automontadas e relacionando-as à performance dos OFETs. As monocamadas automontadas foram caracterizadas por espectroscopia vibracional não linear, e seus efeitos nos OFETs foram determinados pelas alterações nas suas características elétricas. Mostrou-se com isso que é possível aumentar a performance de OFETS de mais de 100 vezes através de modificações interfaciais nos dispositivos. Isto abre espaço para um desenho racional da química interfacial e dos semicondutores orgânicos para otimizar as características elétricas de OFETs.
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    Versão Publicada Luiza_Batista_Capuzzo.pdf Direct link
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    • ABNT

      CAPUZZO, Luiza Batista. Efeitos de interface em transistores orgânicos. 2024. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) – Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos, 2024. Disponível em: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/a13a9512-cd60-44cb-b347-01db25098df2/Luiza_Batista_Capuzzo.pdf. Acesso em: 25 abr. 2025.
    • APA

      Capuzzo, L. B. (2024). Efeitos de interface em transistores orgânicos (Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação). Instituto de Física de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/a13a9512-cd60-44cb-b347-01db25098df2/Luiza_Batista_Capuzzo.pdf
    • NLM

      Capuzzo LB. Efeitos de interface em transistores orgânicos [Internet]. 2024 ;[citado 2025 abr. 25 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/a13a9512-cd60-44cb-b347-01db25098df2/Luiza_Batista_Capuzzo.pdf
    • Vancouver

      Capuzzo LB. Efeitos de interface em transistores orgânicos [Internet]. 2024 ;[citado 2025 abr. 25 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/a13a9512-cd60-44cb-b347-01db25098df2/Luiza_Batista_Capuzzo.pdf

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