Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs (2010)
- Authors:
- Autor USP: GOZZO, GABRIEL CANALE - EESC
- Unidade: EESC
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Keywords: Espalhamento por rugosidade; GaAs/AlGaAs; Heteroestruturas; Heterostructures; InGaAs/InP; Roughness scattering; Semiconductor; Super-redes
- Language: Português
- Abstract: Amostras de heteroestruturas semicondutoras InGaAs/InP foram preparadas por fotolitografia com o objetivo de determinar os parâmetros geométricos da rugosidade interfacial e a influência do espalhamento por rugosidade na mobilidade. A altura da rugosidade foi determinada por difratometria por raios-X. A extensão lateral da rugosidade foi determinada pelo ajuste dos valores experimentais na dependência teórica. As mobilidades e parâmetros geométricos encontrados foram comparados com parâmetros de heteroestruturas GaAs/AlGaAs. Heterointerfaces muito mais lisas e mobilidades eletrônicas muito maiores foram encontradas em super-redes InGaAs/InP
- Imprenta:
- Publisher place: São Carlos
- Date published: 2010
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ABNT
GOZZO, Gabriel Canale. Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs. 2010. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação) – Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos, 2010. Disponível em: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdf. Acesso em: 16 mar. 2025. -
APA
Gozzo, G. C. (2010). Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs (Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação). Escola de Engenharia de São Carlos, Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdf -
NLM
Gozzo GC. Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs [Internet]. 2010 ;[citado 2025 mar. 16 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdf -
Vancouver
Gozzo GC. Espalhamento eletrônico por rugosidade interfacial em heteroestruturas InGaAs/InP e GaAs/AlGaAs [Internet]. 2010 ;[citado 2025 mar. 16 ] Available from: https://bdta.abcd.usp.br/directbitstream/13e06a8b-fd92-4f95-96ee-f92f9c78448b/Gozzo_Gabriel_Canale.pdf
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